美国范德堡大学江蓉博士于2017年6月2日下午15:00在物电学院4楼学术报告厅，作了题为“氮化镓基高电子迁移率场效应管的可靠性及抗辐射特性的研究”的学术报告。报告会由施进丹教授主持，来自物电学院的教师和研究生参加了本次报告会。

报告内容：

氮化镓基高电子迁移率场效应管因其在高频高功率领域的应用而受到广泛关注。其在高压高功率工作时的可靠性问题，包括热电子发射、逆压电效应等问题值得深入研究。报告介绍了AlGaN/GaN基HEMTs常见的可靠性问题，及其与辐射效应的产生的综合作用。

报告人简介：

江蓉，2013年至今就读于美国范德堡大学（Vanderbilt University）电子工程与计算机科学系，攻读博士学位。研究方向包括氮化镓基高电子迁移率场效应管（HEMTs）等新型电子器件的电学可靠性。